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衡翼铜基板焊点拉伸强度试验机 焊点拉力机 焊接点抗拉断裂强度指标测试机 多功能推拉力测试机金属焊点拉力试验机铜条拉力测试机 焊点拉拔力测试机:铜基板
铜基板焊点拉伸测试的主要目的是评估焊接接头的强度和可靠性铜基板。通过施加拉力直到焊接接头断裂，可以测量其能承受的最大力，从而直观地反映焊接接头的强度和可靠性。这种测试对于确保产品质量和提升焊接工艺
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推拉力测试仪助力：DBC覆铜陶瓷基板键合工艺的改进与可靠性分析:铜基板
随着现代电子技术的飞速发展，集成电路封装技术的要求也在不断提高铜基板。特别是在功率电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为关键的功率器件，其性能和可靠性直接影响到整个系统的稳定性和效率。在IGB
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江丰电子：覆铜陶瓷基板可广泛应用于第三代半导体芯片和大功率电力电子器件IGBT等领域:铜基板
金融界2月26日消息铜基板，有投资者在互动平台向江丰电子提问：你好董秘，公司的覆铜陶瓷基板部件主要有哪些产品，应用于半导体哪些领域，产品在市场上目前是否具有竞争力，公司对该类产品应该投资一直在扩大，
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兴斐电子申请精细线路印制电路板及制备方法专-利，提升玻璃布树脂材质基板与化学铜的结合力:铜基板
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，兴斐电子有限公司申请一项名为“精细线路印制电路板及制备方法”的专-利，公开号CN119172925A，申请日期为2024年9月铜基板。
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安徽陶芯科申请应用于DCB覆铜陶瓷基板生产用的节能均温开式烧结炉专-利，节省预热带来的能源消耗:铜基板
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，安徽陶芯科半导体新材料有限公司申请一项名为“应用于DCB覆铜陶瓷基板生产用的节能均温开式烧结炉”的专-利，公开号CN119394012A，
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江苏普诺威申请阶梯厚铜嵌入式散热基板及其加工方法专-利，加工效率和精度高、加工成本低:铜基板
金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，江苏普诺威电子股份有限公司申请一项名为“阶梯厚铜嵌入式散热基板及其加工方法”的专-利，公开号CN119255516A，申请日期为2024年10
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江苏富乐华半导体取得一种针对 AMB 陶瓷覆铜基板原材料清洗的分离上料装置专-利:铜基板
金融界2025年1月22日消息，国家知识产权局信息显示，江苏富乐华半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种针对AMB陶瓷覆铜基板原材料清洗的分离上料装置”的专-利，授权公告号CN
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四川富乐华申请一种陶瓷覆铜基板电镀镍金方法专-利，能电镀出具有较大厚度的金属镀层:铜基板
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，四川富乐华半导体科技有限公司申请一项名为“一种陶瓷覆铜基板电镀镍金方法”的专-利，公开号CN119095271A，申请日期为2024年9月
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陶芯科申请一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉专-利，确保热量均匀分布在产品上:铜基板
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，安徽陶芯科半导体新材料有限公司申请一项名为“一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉”的专-利，公开号CN119353923A，申请日期为2024
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
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黄山谷捷：公司的产品铜平底散热基板目前已应用于新能源发电、储能等新兴领域:铜基板
证券之星消息，黄山谷捷(301581)02月25日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题铜基板。投资者提问：请问贵公司产品在储能及新能源发电领域是否得到运用铜基板？该领域市场情景如何？黄山谷捷
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山东厚发芯源取得覆铜陶瓷基板切割用压边装置专-利，减少切割时的振动和偏移:铜基板
金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，山东厚发芯源科技有限公司取得一项名为“种覆铜陶瓷基板切割用压边装置”的专-利，授权公告号CN222154329U，申请日期为2024年4
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福建华清电子取得陶瓷覆铜基板的基材剥离机专-利，提高对铜片剥离的完整度:铜基板
金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，福建华清电子材料科技有限公司取得一项名为“一种陶瓷覆铜基板的基材剥离机”的专-利，授权公告号CN222089842U，申请日期为2024年
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江丰电子：覆铜陶瓷基板可广泛应用于第三代半导体芯片和IGBT等领域:铜基板
证券之星消息，江丰电子(300666)02月26日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题铜基板。投资者提问：你好董秘铜基板，公司的覆铜陶瓷基板部件主要有哪些产品，应用于半导体哪些领域，产品在市场
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正海世鲲取得基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构专-利:铜基板
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海正海世鲲半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构”的专-利，授权公告号CN115132711B，申请日期为20