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高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺与性能研究进展
在现代电子与半导体产业的飞速发展中，高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中，氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性，成为高功率电
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福建臻璟申请氮化铝单晶基板制备专-利，能显著提高晶体生长速度
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专-利，公开号CN119145046A，申请日期为2024年11
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兆易创新科技取得用于 WBGA 封装的基板及封装结构专-利，有效吸收并转移电压过载，提升基板的可靠性
金融界2025年2月28日消息，国家知识产权局信息显示，兆易创新科技股份有限公司取得一项名为“用于WBGA封装的基板及封装结构”的专-利，授权公告号CN222530434U，申请
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第一汽车申请陶瓷浆料带孔陶瓷基板及其制备方法专-利，能制备精度较高、孔误差较小的带孔陶瓷基板:陶瓷基板厂家
金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，第一汽车股份有限公司申请一项名为“陶瓷浆料带孔陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119490347A，申请日期为2024年12月陶瓷
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美程陶瓷申请氮化硅陶瓷基板及其制备方法专-利，本发明所制备的氮化硅陶瓷基板具有较高的力学强度和优异的导热性能:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，湖南省美程陶瓷科技有限公司申请一项名为“一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119350042A，申请日期为2024年12月
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金百泽申请非对称结构HDI板制造专-利，能够保证孔铜与基板表面铜层紧密连接:铜基板
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市金百泽电路科技有限公司、深圳市金百泽电子科技股份有限公司、西安金百泽电路科技有限公司申请一项名为“种非对称结构HDI板的制造方法及HDI
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
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深圳市星河电路申请LED热电分离铝基板制作工艺专-利，LED散热能力大大增强
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市星河电路股份有限公司申请一项名为“LED热电分离铝基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119153592A，申请日期为2024年9
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特创电子申请陶瓷基板及其制备方法专-利，解决陶瓷基板的周缘蚀刻不净问题:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月23日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市特创电子科技股份有限公司申请一项名为“陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119277659A，申请日期为2024年9月陶瓷基
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湖南志浩航精密科技取得铜基板自动上料装置专-利，提高铜基板的上料封装效率:铜基板
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，湖南志浩航精密科技有限公司取得一项名为“一种铜基板自动上料装置”的专-利，授权公告号CN222118022U，申请日期为2024年5月铜
