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宁波江丰同芯半导体申请覆铜陶瓷基板制备方法专-利，提高覆铜陶瓷基板可靠性:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁波江丰同芯半导体材料有限公司申请一项名为“一种覆铜陶瓷基板的制备方法”的专-利，公开号CN119241279A，申请日期为2024年10月陶
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鑫鑫建工申请预制混凝土道路基板制造专-利，提升道路基板制作质量
金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，鑫鑫建工（）有限公司申请一项名为“一种预制混凝土道路基板制造装置”的专-利，公开号CN119077891A，申请日期为2023年6月基板。
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滨州奥诺申请高强度高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺专-利，提高分割后基板边缘平整度:陶瓷基板厂家
金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，滨州奥诺新材料科技有限公司申请一项名为“一种高强度高导热的氮化硅陶瓷基板及其制备工艺”的专-利，公开号CN119115247A，申请日期
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第一汽车申请陶瓷浆料带孔陶瓷基板及其制备方法专-利，能制备精度较高、孔误差较小的带孔陶瓷基板:陶瓷基板厂家
金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，第一汽车股份有限公司申请一项名为“陶瓷浆料带孔陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119490347A，申请日期为2024年12月陶瓷
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美程陶瓷申请氮化硅陶瓷基板及其制备方法专-利，本发明所制备的氮化硅陶瓷基板具有较高的力学强度和优异的导热性能:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，湖南省美程陶瓷科技有限公司申请一项名为“一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119350042A，申请日期为2024年12月
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高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺与性能研究进展
在现代电子与半导体产业的飞速发展中，高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中，氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性，成为高功率电
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福建臻璟申请氮化铝单晶基板制备专-利，能显著提高晶体生长速度
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专-利，公开号CN119145046A，申请日期为2024年11
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特创电子申请陶瓷基板及其制备方法专-利，解决陶瓷基板的周缘蚀刻不净问题:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月23日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市特创电子科技股份有限公司申请一项名为“陶瓷基板及其制备方法”的专-利，公开号CN119277659A，申请日期为2024年9月陶瓷基
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金百泽申请非对称结构HDI板制造专-利，能够保证孔铜与基板表面铜层紧密连接:铜基板
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市金百泽电路科技有限公司、深圳市金百泽电子科技股份有限公司、西安金百泽电路科技有限公司申请一项名为“种非对称结构HDI板的制造方法及HDI
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
