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氮化铝陶瓷基板的设计与制造流程
随着科技的飞速发展，高性能材料的需求日益增加陶瓷基板厂家。氮化铝（AIN）陶瓷基板，凭借其高热导率、高绝缘性、高强度以及优异的抗热震性能，在电子封装、功率模块、微波通讯等多个领域展现出了巨大的应用潜
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中瓷科技完成A+轮，从事LED陶瓷基板等研发制造
根据天眼查信息，郑州中瓷科技有限公司（以下简称“中瓷科技”）最近完成了A+轮，但具体金额尚未对外公布，参与投资的机构包括深圳资本陶瓷基板厂家。˂imgsrc="http://qiuzhengwo
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南京江宁区瑞波机械加工制造有限公司申请一种铝基板加工封装装置专-利，提高工作效率
金融界2025年1月23日消息，国家知识产权局信息显示，南京江宁区瑞波机械加工制造有限公司申请一项名为“一种铝基板加工封装装置”的专-利，公开号CN119327690A，申请日期为2024年9月铝
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同欣电子申请含有铝元素的活性金属硬焊基板材料及其制造方法专-利，降低银用量并降低硬焊温度
金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，同欣电子工业股份有限公司申请一项名为“含有铝元素的活性金属硬焊基板材料及其制造方法”的专-利，公开号CN119317021A，
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宁波江丰同芯半导体申请覆铜陶瓷基板制备方法专-利，提高覆铜陶瓷基板可靠性:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁波江丰同芯半导体材料有限公司申请一项名为“一种覆铜陶瓷基板的制备方法”的专-利，公开号CN119241279A，申请日期为2024年10月陶
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滨州奥诺申请高强度高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺专-利，提高分割后基板边缘平整度:陶瓷基板厂家
金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，滨州奥诺新材料科技有限公司申请一项名为“一种高强度高导热的氮化硅陶瓷基板及其制备工艺”的专-利，公开号CN119115247A，申请日期
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
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高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺与性能研究进展
在现代电子与半导体产业的飞速发展中，高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中，氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性，成为高功率电
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福建臻璟申请氮化铝单晶基板制备专-利，能显著提高晶体生长速度
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专-利，公开号CN119145046A，申请日期为2024年11
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深圳市星河电路申请LED热电分离铝基板制作工艺专-利，LED散热能力大大增强
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市星河电路股份有限公司申请一项名为“LED热电分离铝基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119153592A，申请日期为2024年9
