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金融界2025年1月17日消息,国家知识产权局信息显示,上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板覆铜纹路设计的功率半导体模块结构”的专-利,授权公告号CN115132712B,申
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一、氮化铝陶瓷线路板的核心作用高效散热氮化铝(AlN)陶瓷的导热率高达170-220W/(m·K)(远高于普通FR-4材料的0.3W/(m·K)或氧化铝陶瓷的24W/(m·K)),能快速将