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鑫鑫建工申请预制混凝土道路基板制造专-利，提升道路基板制作质量
金融界2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，鑫鑫建工（）有限公司申请一项名为“一种预制混凝土道路基板制造装置”的专-利，公开号CN119077891A，申请日期为2023年6月基板。
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深圳市星河电路申请LED热电分离铝基板制作工艺专-利，LED散热能力大大增强
金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市星河电路股份有限公司申请一项名为“LED热电分离铝基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119153592A，申请日期为2024年9
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宁波江丰同芯半导体申请覆铜陶瓷基板制备方法专-利，提高覆铜陶瓷基板可靠性:陶瓷基板厂家
金融界2025年1月7日消息，国家知识产权局信息显示，宁波江丰同芯半导体材料有限公司申请一项名为“一种覆铜陶瓷基板的制备方法”的专-利，公开号CN119241279A，申请日期为2024年10月陶
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滨州奥诺申请高强度高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺专-利，提高分割后基板边缘平整度:陶瓷基板厂家
金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，滨州奥诺新材料科技有限公司申请一项名为“一种高强度高导热的氮化硅陶瓷基板及其制备工艺”的专-利，公开号CN119115247A，申请日期
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金百泽申请非对称结构HDI板制造专-利，能够保证孔铜与基板表面铜层紧密连接:铜基板
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市金百泽电路科技有限公司、深圳市金百泽电子科技股份有限公司、西安金百泽电路科技有限公司申请一项名为“种非对称结构HDI板的制造方法及HDI
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
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高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺与性能研究进展
在现代电子与半导体产业的飞速发展中，高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中，氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性，成为高功率电
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福建臻璟申请氮化铝单晶基板制备专-利，能显著提高晶体生长速度
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专-利，公开号CN119145046A，申请日期为2024年11
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宁波大榭开发区晶格电子取得带有柔性结构的LED铝基板专-利，提高铝基板抗压性:铝基板厂家
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，宁波大榭开发区晶格电子有限公司取得一项名为“带有柔性结构的LED铝基板”的专-利，授权公告号CN222335219U，申请日期为2024年5
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梅州佳丰电子科技取得铝基板加工整平装置专-利，提高了对铝基板的整平效率:铝基板厂家
金融界2025年1月24日消息，国家知识产权局信息显示，梅州佳丰电子科技有限公司取得一项名为“一种铝基板加工整平装置”的专-利，授权公告号CN222369995U，申请日期为2024年5月铝基板厂
