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上海海姆希科取得基于覆铜陶瓷基板覆铜纹路设计的功率半导体模块结构专-利:铜基板
金融界2025年1月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板覆铜纹路设计的功率半导体模块结构”的专-利，授权公告号CN115132712B，申
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安徽思睿辰新材料取得高导热覆铜陶瓷基板的焊装装置专-利，便于后续焊装:铜基板
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽思睿辰新材料有限公司取得一项名为“一种高导热覆铜陶瓷基板的焊装装置”的专-利，授权公告号CN222339677U，申请日期为2024年4
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正海世鲲取得基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构专-利:铜基板
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海正海世鲲半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构”的专-利，授权公告号CN115132711B，申请日期为20
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山东厚发芯源取得覆铜陶瓷基板切割用压边装置专-利，减少切割时的振动和偏移:铜基板
金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，山东厚发芯源科技有限公司取得一项名为“种覆铜陶瓷基板切割用压边装置”的专-利，授权公告号CN222154329U，申请日期为2024年4
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陶芯科申请一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉专-利，确保热量均匀分布在产品上:铜基板
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，安徽陶芯科半导体新材料有限公司申请一项名为“一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉”的专-利，公开号CN119353923A，申请日期为2024
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安徽陶芯科申请应用于DCB覆铜陶瓷基板生产用的节能均温开式烧结炉专-利，节省预热带来的能源消耗:铜基板
金融界2025年2月12日消息，国家知识产权局信息显示，安徽陶芯科半导体新材料有限公司申请一项名为“应用于DCB覆铜陶瓷基板生产用的节能均温开式烧结炉”的专-利，公开号CN119394012A，
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推拉力测试仪助力：DBC覆铜陶瓷基板键合工艺的改进与可靠性分析:铜基板
随着现代电子技术的飞速发展，集成电路封装技术的要求也在不断提高铜基板。特别是在功率电子领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为关键的功率器件，其性能和可靠性直接影响到整个系统的稳定性和效率。在IGB
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广州健芯取得一种贴片电阻散热结构专-利，提高陶瓷基板散热速度
金融界2025年2月28日消息，国家知识产权局信息显示，广州健芯电子科技有限公司取得一项名为“一种贴片电阻散热结构”的专-利，授权公告号CN222530125U，申请日期为2024年5月基板。
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氮化铝陶瓷基板的设计与制造流程
随着科技的飞速发展，高性能材料的需求日益增加陶瓷基板厂家。氮化铝（AIN）陶瓷基板，凭借其高热导率、高绝缘性、高强度以及优异的抗热震性能，在电子封装、功率模块、微波通讯等多个领域展现出了巨大的应用潜
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高导热氮化硅陶瓷基板制备工艺与性能研究进展
在现代电子与半导体产业的飞速发展中，高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中，氮化硅（Si₃N₄）陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性，成为高功率电
