在现代电子与半导体产业的飞速发展中,高导热陶瓷基板成为提升器件散热性能、提高可靠性的重要材料陶瓷基板厂家。其中,氮化硅(Si₃N₄)陶瓷基板因其高导热性、优异的力学性能及良好的电绝缘性,成为高功率电
金融界2024年12月11日消息,国家知识产权局信息显示,苏州玖凌光宇科技有限公司取得一项名为“一种氮化铝陶瓷基板烘干设备”的专-利,授权公告号CN222123759U,申请日期为2024年4
金融界2024年12月20日消息,国家知识产权局信息显示,福建臻璟新材料科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专-利,公开号CN119145046A,申请日期为2024年11
粉体网讯进入21世纪以来,随着电子技术的迅猛发展,电子元器件的集成程度与组装密度不断提高,散热成为影响器件性能与可靠性的关键铝基板厂家。以大功率LED封装为例,输入功率只有约20%~30%转化为光
氮化铝基板(AlN)是由铝和氮原子制成的陶瓷基板铝基板厂家。这些基板以其出的导热性和低热膨胀系数而著称,这使其成为涉及高功率电子、功率半导体、微波和射频元件以及光电子应用的理想选择。AlN基板
金融界2025年2月26日消息,国家知识产权局信息显示,南京虎陶电子有限公司取得一项名为“一种具有快速干燥功能的陶瓷基板加工装置”的专-利,授权公告号CN222521707U,申请日期为2024年
金融界2025年1月23日消息,国家知识产权局信息显示,惠州市特创电子科技股份有限公司申请一项名为“陶瓷基板及其制备方法”的专-利,公开号CN119277659A,申请日期为2024年9月陶瓷基
金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,深圳顺络叠层电子有限公司申请一项名为“陶瓷基板、低温共烧陶瓷器件及其制备方法”的专-利,公开号CN119383833A,申请日期为2024年
金融界2025年2月21日消息,国家知识产权局信息显示,第一汽车股份有限公司申请一项名为“陶瓷浆料带孔陶瓷基板及其制备方法”的专-利,公开号CN119490347A,申请日期为2024年12月陶瓷
金融界2025年2月18日消息,国家知识产权局信息显示,宁波荣宝雨半导体有限公司取得一项名为“一种安装灵活的陶瓷基板”的专-利,授权公告号CN222484986U,申请日期为2024年1月陶瓷基板