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上海海姆希科取得基于覆铜陶瓷基板覆铜纹路设计的功率半导体模块结构专-利:铜基板
金融界2025年1月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板覆铜纹路设计的功率半导体模块结构”的专-利，授权公告号CN115132712B，申
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金百泽申请非对称结构HDI板制造专-利，能够保证孔铜与基板表面铜层紧密连接:铜基板
金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，惠州市金百泽电路科技有限公司、深圳市金百泽电子科技股份有限公司、西安金百泽电路科技有限公司申请一项名为“种非对称结构HDI板的制造方法及HDI
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安徽思睿辰新材料取得高导热覆铜陶瓷基板的焊装装置专-利，便于后续焊装:铜基板
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，安徽思睿辰新材料有限公司取得一项名为“一种高导热覆铜陶瓷基板的焊装装置”的专-利，授权公告号CN222339677U，申请日期为2024年4
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信合新材料取得一种覆铜基板热压成型装置专-利，具有造价低的优点:铜基板
金融界2024年12月30日消息，国家知识产权局信息显示，江西省信合新材料科技有限公司取得一项名为“一种覆铜基板热压成型装置”的专-利，授权公告号CN222216080U，申请日期为2024年1月
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山东厚发芯源科技取得覆铜陶瓷基板生产用烧结炉专-利，使炉体内各处温度均衡提高覆铜陶瓷焊接质量:铜基板
金融界2024年12月16日消息，国家知识产权局信息显示，山东厚发芯源科技有限公司取得一项名为“一种覆铜陶瓷基板生产用烧结炉”的专-利，授权公告号CN222143750U，申请日期为2024
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正海世鲲取得基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构专-利:铜基板
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海正海世鲲半导体有限公司取得一项名为“基于覆铜陶瓷基板的功率半导体模块结构”的专-利，授权公告号CN115132711B，申请日期为20
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福建华清电子取得陶瓷覆铜基板的基材剥离机专-利，提高对铜片剥离的完整度:铜基板
金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，福建华清电子材料科技有限公司取得一项名为“一种陶瓷覆铜基板的基材剥离机”的专-利，授权公告号CN222089842U，申请日期为2024年
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山东厚发芯源取得覆铜陶瓷基板切割用压边装置专-利，减少切割时的振动和偏移:铜基板
金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，山东厚发芯源科技有限公司取得一项名为“种覆铜陶瓷基板切割用压边装置”的专-利，授权公告号CN222154329U，申请日期为2024年4
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深圳市彬胜电子申请单面密集线路高导热铜基板制作工艺专-利，避免因加工问题导致介质层损破:铜基板
金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市彬胜电子科技有限公司申请一项名为“一种单面密集线路高导热铜基板的制作工艺”的专-利，公开号CN119383837A，申请
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陶芯科申请一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉专-利，确保热量均匀分布在产品上:铜基板
金融界2025年1月27日消息，国家知识产权局信息显示，安徽陶芯科半导体新材料有限公司申请一项名为“一种DCB覆铜陶瓷基板用开式烧结炉”的专-利，公开号CN119353923A，申请日期为2024